传台积电3nm制程工艺将提前投产

时间:2023-02-20 17:14:31
传台积电3nm制程工艺将提前投产

传台积电3nm制程工艺将提前投产

传台积电3nm制程工艺将提前投产,N3 计划于 2023 年投产,N3E 节点原定于 2024 年投产,但现在看来它会提前准备就绪。传台积电3nm制程工艺将提前投产。

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据techpowerup报道称,台积电正在开发3nm的工艺制程,包括了N3、N3B和N3E多个节点。

据了解,台积电原计划在2022下半年量产N3节点,N3E量产计划为2023年下半年。

但由于作为3nm简化版的N3E节点,量产率较高,台积电希望早日实现商业化,可能提前到2023年上半年。

N3E的工艺流程也已经提前准备好了,工艺流程在这个月底就会确定。

据悉,N3E在N3基础上减少了EUV光罩层数,从25层减少到21层,逻辑密度低了8%,不过仍比5nm的N5制程节点要高出60%,并且具有更好的性能、功耗和产量。

相比之下,据说N3的逻辑密度比N5高 70%。

还有N3B,据说是针对某些客户的 N3 的改进版本,不过我们目前对N3B节点知之甚少。

无论N3E还是N3B,都不是用于取代N3,只是让客户有更多的选择,在不同产品上有更好的性能和功耗表现。

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台积电正在开发多个 N3 节点,目前至少 N3、N3B 和 N3E 正在开发中。N3 计划于 2023 年投产,N3E 节点原定于 2024 年投产,但现在看来它会提前准备就绪。N3E 节点原本是 N3 节点的增强版本,但现在它似乎更像是一个替代节点,基于更少的 EUV 层,据说从 25 层降至 21 层,这将使其更容易制造。

根据摩根士丹利的详细信息, N3E 节点的密度比原始 N3 节点低 8% 左右,但仍比 N5 节点高 60% 左右。相比之下,据说 N3 节点的逻辑密度比 N5 节点高 70%。

该报告表明,N3E 节点可能会在本月底完成,这意味着从 23 年第 3 季度到 23 年第 2 季度,整个季度的生产可能最终会被拉动。

N3E 节点“具有改进的制造工艺窗口,具有更好的性能、功率和产量”,因此我们可能会看到 N3E 节点被几乎所有正在寻求制造高性能硅的人用于未来产品。

N3E 节点的产量也高于 N3B 节点,据说 N3B 是针对某些客户的 N3 的改进版本。目前对 N3B 节点知之甚少。

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台积电(TSMC)目前正在N3制程节点上开发多个工艺,包括了N3、N3B和N3E。去年台积电总裁魏哲家表示,N3制程节点仍使用FinFET晶体管的结构,推出的时候将成为业界最先进的PPA和晶体管技术,同时也会是台积电另一个大规模量产且持久的制程节点。

据TechPowerup报道,近期摩根士丹利的报告指,在N3基础上扩展的N3E已提前准备好了,工艺流程可能会在这个月底确定。台积电原计划在2022年下半年量产N3制程节点,N3E作为3nm工艺中的`简化版本,量产时间为2023年下半年。由于N3E测试生产的时候良品率较高,台积电希望能更早地实现商业化,可能会提前到2023年第二季度。

据了解,N3E在N3基础上减少了EUV光罩层数,从25层减少到21层,逻辑密度低了8%,但仍然比N5制程节点要高出60%。此外,N3E的良品率也高于N3B,后者传言是针对某些客户使用而开发的N3改进版本,不过目前缺乏相关信息。无论N3E还是N3B,都不是用于取代N3,只是让客户有更多的选择,在不同产品上有更好的性能和功耗表现。

芯片测试设备制造商Teradyne表示,2023年对3nm芯片的需求会有明显的增长,虽然像苹果这样的公司最早在2023年初就能得到首批3nm芯片,但其他厂商最快可能在2023年下半年就能跟进。

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